モジュールの小型化に有利な基板技術
ガラスセラミック基板は1000℃以下で焼成できることから、内部導体として Ag、Auの使用が可能。誘電率がアルミナ基板より低いので信号遅延も小さいのが特長。さらに熱膨張係数がシリコンに近いという性質があり、 基板への直接ダイボンディングやフリップチップ(FC)接続が容易です。
シム製品
高温環境下でも使用可能な絶縁スペーサ0.15mmt～対応可能です。
キャビティ構造基板
多段化、複数化対応可能です。
白基板
薄膜回路用基材等、研磨による面粗度調整まで対応可能です。
大判サイズ
内層電源・GND、シグナル配線内層も対応可能です。
セラミック加工標準値
| 項目 | 標準（カスタム） | ||
|---|---|---|---|
| 絶縁層 | 外形寸法（ｍｍ） | ≦120（320） | |
| 積層体厚み 各層（ｍｍ） |
0.05～1.0≦8.0 TOTAL |
||
| 絶縁層数 | ≦10（80） | ||
| 偏差 | X-Y | ±0.5％（0.2） | |
| Z | ±10％（6） | ||
| 反り | 10μｍ/10ｍｍ | ||
| 表面粗度（Ra） | 0.5μｍ（As Sintered） | ||
| 0.03μｍ（Treatment） | |||
| 内部配線 | 配線幅（ｍｍ） | ≧0.1（0.05） | |
| 配線スペース（ｍｍ） | ≧0.1（0.05） | ||
| ヴィア | ヴィア径（ｍｍ） | ≧0.1（0.08） | |
| ヴィアスペース（ｍｍ） | ≧0.1（0.05） | ||
| 表面配線 | 配線幅（ｍｍ） | ≧0.1（0.05） | |
| 配線スペース（ｍｍ） | ≧0.1（0.05） | ||
| めっき | Ni（μｍ) | 2.0～6.0 | |
| Au（μｍ） | 0.1～0.5 | ||
LTCC製造工程
1グリーンシート（テープ）
2VIAホールペースト埋め
3配線印刷
4積層
5積層体
6焼結
7無電解メッキ ニッケル・金
