HIRAIの技術セラミック加工

モジュールの小型化に有利な基板技術

ガラスセラミック基板は1000℃以下で焼成できることから、内部導体として Ag、Auの使用が可能。誘電率がアルミナ基板より低いので信号遅延も小さいのが特長。さらに熱膨張係数がシリコンに近いという性質があり、 基板への直接ダイボンディングやフリップチップ(FC)接続が容易です。

シム製品

高温環境下でも使用可能な絶縁スペーサ0.15mmt~対応可能です。

キャビティ構造基板

多段化、複数化対応可能です。

白基板

薄膜回路用基材等、研磨による面粗度調整まで対応可能です。

大判サイズ

内層電源・GND、シグナル配線内層も対応可能です。

セラミック加工標準値

項目 標準(カスタム)
絶縁層 外形寸法(mm) ≦120(320)
積層体厚み
各層(mm)
0.05~1.0≦8.0
TOTAL
絶縁層数 ≦10(80)
偏差 X-Y ±0.5%(0.2)
Z ±10%(6)
反り 10μm/10mm
表面粗度(Ra) 0.5μm(As Sintered)
0.03μm(Treatment)
内部配線 配線幅(mm) ≧0.1(0.05)
配線スペース(mm) ≧0.1(0.05)
ヴィア ヴィア径(mm) ≧0.1(0.08)
ヴィアスペース(mm) ≧0.1(0.05)
表面配線 配線幅(mm) ≧0.1(0.05)
配線スペース(mm) ≧0.1(0.05)
めっき Ni(μm) 2.0~6.0
Au(μm) 0.1~0.5

LTCC製造工程

1グリーンシート(テープ)

2VIAホールペースト埋め

3配線印刷

4積層

5積層体

6焼結

7無電解メッキ ニッケル・金